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新型稀磁半导体Zn1-xCoxS光谱特性的实验研究
- 王学忠,陈辰嘉,刘国彬,W Giriat
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1995, 31(5):
580-585.
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摘要
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计量指标
在73~300K温度范围内,首次测量了不同组分的新型稀磁半导体Zn1-xCoxS(x=0.001, 0.01, 0.03, 0.048, 0.053, 0.063)的近红外和可见区的吸收光谱和磁圆二色谱。观测到一系列吸收峰和磁圆二色谱峰,两者互相对应,其峰位与样品组分x值无关。它们分别对应于Co2+离子在Td对称的晶体场中不同能级间的跃迁。