王荣明,王学忠,陈辰嘉
WANG Rongming, WANG Xuezhong, CHEN Chenjia
摘要: 用消光法、交替磁场法和磁光调制法测量了不同温度下、不同组分的稀磁半导体Cd1-xMnxTe和Cd1-xFexTe的巨法拉第效应。实验表明:对较高组分的Cd1-xMnxTe(x ≥0.1),法拉第旋转角为负,用单振子模型能很好地描述实验结果。稀磁半导体Cd1-xFexTe表现出与Cd1-xMnxTe同量级的巨法拉第效应,当组分较低时,法拉第旋转角随入射光子能量出现由正到负的变化,必须用多振子模型才能很好解释实验结果。当样品很薄或磁场较低时,磁光调制法以其很高的测量精度显示出巨大的优越性。
中图分类号: