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脉冲激光沉积法原位后退火生长MgB2薄膜的研究
- 任国利,张撷秋,聂瑞娟,王守证,王福仁
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2005, 41(5):
710-714.
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摘要
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计量指标
采用脉冲激光沉积的方法在 Al2O3(0001)基片上先生成 Mg-B 混和薄膜,然后采用原位后退火的方法生成 MgB2 超导薄膜,采用磁测量(M-T)、X射线衍射、扫描电子显微镜技术分析了各种沉积及退火条件对 MgB2 超导薄膜表面形貌、晶体结构、超导电性的影响。在沉积温度为 200 ℃,退火时间 5min 时,改变退火温度得到一组薄膜,研究退火温度对超导薄膜性质的影响,得到了转变温度-退火温度曲线。在退火温度为 670℃、720℃ 时,得到了最高的临界转变温度 Tc=33K,X射线衍射结果表明此时的薄膜有 c 轴取向。同时比较了在 200℃ 下沉积,在 670℃ 下分别退火不同时间的薄膜的超导性质。还比较了分别在不同温度下沉积,然后在 670℃ 下退火 5min 的薄膜的超导性质。结果表明,沉积温度和退火温度、退火时间极大的影响了薄膜的各种性质。