适用于位交叉布局的低电压SRAM单元

北京大学学报（自然科学版）

适用于位交叉布局的低电压SRAM单元

贾嵩,徐鹤卿,王源,吴峰锋,李涛,徐越

北京大学信息科学技术学院微电子系, 北京 100871;

收稿日期:2012-05-24 出版日期:2013-07-20 发布日期:2013-07-20

Low Voltage SRAM Cell Suitable for Bit-Interleaved Structure

JIA Song, XU Heqing, WANG Yuan, WU Fengfeng, LI Tao, XU Yue

Key Laboratory of Microelectronics Devices and Circuits MOE, Department of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871;

Received:2012-05-24 Online:2013-07-20 Published:2013-07-20

摘要/Abstract

摘要： 提出一种9管单端SRAM单元结构, 该种SRAM单元采用读写分离方式, 具有较高的保持稳定性和读稳定性。该单元采用新的写操作方式, 使由其组成的存储阵列中, 处于“假读”状态的单元仍具有较高的稳定性, 因此在布局时能够采用位交叉布局, 进而采用简单的错误纠正码(ECC)方式解决由软失效引起的多比特错误问题。仿真结果显示, 当电源电压为300 mV时, 该种结构的静态噪声容限为100 mV, 处于“假读”状态的单元静态噪声容限为70 mV。

关键词: SRAM单元, 低电压, 静态噪声容限, 位交叉结构

Abstract: A single-ended nine-transistor (9T) SRAM scheme is proposed for sub-threshold operation. The new SRAM cell provides high stability using disturb-free read operation. With a new write mechanism, the cell can solve the pseudo-read problem. Thus, the bit-interleaved structure can be used to address the multiple bit soft-errors problem. Simulation result shows that the SRAM cell can provide 100 mV read static-noise-margin (SNM) and 70 mV worst half-select SNM, when the supply voltage is 300 mV.

Key words: SRAM cell, low voltage, SNM, bit-interleaved structure

中图分类号:

贾嵩,徐鹤卿,王源,吴峰锋,李涛,徐越. 适用于位交叉布局的低电压SRAM单元[J]. 北京大学学报（自然科学版）.

JIA Song,XU Heqing,WANG Yuan,WU Fengfeng,LI Tao,XU Yue. Low Voltage SRAM Cell Suitable for Bit-Interleaved Structure[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis.

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[1]	张奇惠, 曹健, 曹喜信, 于敦山, 张兴. 异步低功耗RSA电路结构的设计和实现[J]. 北京大学学报自然科学版, 2018, 54(6): 1351-1354.
[2]	葛彬杰, 李琰, 俞航, 冯晓星. 一个采用新颖的混合电容切换模式的SAR ADC设计[J]. 北京大学学报自然科学版, 2018, 54(5): 927-934.
[3]	王新安, 雍珊珊, 徐伯星, 梁意文, 白志强, 安辉耀, 张兴, 黄继攀, 谢峥, 林科, 何春舅, 李秋平. 多分量地震监测系统AETA的研究与实现[J]. 北京大学学报（自然科学版）, 2018, 54(3): 487-494.
[4]	钱泽斌, 严伟. 一种低资源数字抽取滤波器设计[J]. 北京大学学报（自然科学版）, 2018, 54(2): 315-319.
[5]	范传奇, 贾嵩, 王振宇, 严伟, 吴泽波. 基于多级放大结构的高速低功耗时间数字转换器设计[J]. 北京大学学报（自然科学版）, 2018, 54(2): 299-306.
[6]	郭朝阳, 汪波, 王新安, 张国新. 一种改进的适用于数字助听器的基于非线性频率压缩的多通道响度补偿方法[J]. 北京大学学报（自然科学版）, 2018, 54(1): 25-34.
[7]	刘超, 严伟. 基于FPU的高速卡尔曼滤波器公式推导法硬件设计[J]. 北京大学学报（自然科学版）, 2016, 52(5): 803-808.
[8]	廖楠, 崔小欣, 廖凯, 王田, 于敦山, 程玉芳. 一种针对FPGA密码模块的非侵入式故障攻击[J]. 北京大学学报（自然科学版）, 2016, 52(2): 193-198.
[9]	李路,王子男,盖伟新. 基于0.13 μm CMOS工艺的6.25 Gb/s高速串行数据接收器的设计[J]. 北京大学学报（自然科学版）, 2014, 50(4): 617-622.
[10]	张潇,崔小欣,魏为,黄颖,廖凯,廖楠,于敦山. 针对FPGA实现的AES密码芯片的相关性电磁分析攻击[J]. 北京大学学报（自然科学版）, 2014, 50(4): 647-651.
[11]	黄颖,崔小欣,魏为,张潇,廖凯,廖楠,于敦山. 基于FPGA平台的电路级抗差分功耗分析研究[J]. 北京大学学报（自然科学版）, 2014, 50(4): 652-656.
[12]	吴渤翰,盖伟新. 一种在全数字锁相环中进行振荡器增益估计的新算法[J]. 北京大学学报（自然科学版）, 2014, 50(4): 611-616.
[13]	李哲,吕垠轩,何燕冬,张钢刚. 高k栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究[J]. 北京大学学报（自然科学版）, 2014, 50(4): 637-641.
[14]	王田,崔小欣,廖凯,廖楠,黄颖,张潇,于敦山. RSA加密中基于二次Booth编码的Montgomery乘法器[J]. 北京大学学报（自然科学版）, 2014, 50(4): 642-646.
[15]	廖凯,崔小欣,廖楠,王田,张潇,黄颖,于敦山. 一种用于RFID的基于广义二进制Hessian曲线的密码处理器的实现[J]. 北京大学学报（自然科学版）, 2014, 50(4): 657-663.