金属In与掺Nb的SrTiO3金属半导体接触研究

北京大学学报（自然科学版）

金属In与掺Nb的SrTiO₃金属半导体接触研究

王世奇,马玉彬

北京大学物理学院系，北京100871；

收稿日期:2007-05-15 出版日期:2008-01-20 发布日期:2008-01-20

The Metal-Semiconductor Junction of Indium and Nb Doped SrTiO₃

WANG Shiqi ， MA Yubin

School of Physics, Peking University, Beijing 100871；

Received:2007-05-15 Online:2008-01-20 Published:2008-01-20

摘要/Abstract

摘要： 研究了金属In与掺不同Nb浓度的SrTiO₃（Nb-STO）衬底之间构成的金属半导体结（金-半结）。测量了不同温度下的I-V曲线。在掺杂浓度为0.05 wt.%衬底构成的金-半结I-V曲线中，反向电压部分得到的有效因子n在1.05～1.10之间，且随温度变化很小，而正向的n很大，表明出势垒随着偏压的变化改变很大。金属In与Nb-STO衬底之间构成的金-半结在浓度为0.05 wt.%和0.7 wt.%的掺杂情况下，结点都表现出非线性的I-V关系，均不能视为欧姆接触。

关键词: Nb掺杂SrTiO₃, 金属-半导体接触

Abstract: The metal-semiconductor junction of indium and Nb doped SrTiO₃ were fabricated. The current-voltage of the junction were obtained by three terminals method. In the junction of 0.05 wt.% doped Nb-STO, the effect factor n derived from negative voltage are in range 1.05-1.10 and almost independent of temperature. The junctions both show non-linear I-V characteristic.The contact between Indium and Nb-STO could not be treated as Ohmic contact, even in high doped Nb-STO.

Key words: Niobium doped SrTiO₃, metal-semiconductor contact

中图分类号:

O472

王世奇,马玉彬. 金属In与掺Nb的SrTiO₃金属半导体接触研究[J]. 北京大学学报（自然科学版）.

WANG Shiqi,MA Yubin. The Metal-Semiconductor Junction of Indium and Nb Doped SrTiO₃[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis.

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金属In与掺Nb的SrTiO₃金属半导体接触研究

The Metal-Semiconductor Junction of Indium and Nb Doped SrTiO₃

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