摘要: Fe3O4是一种半金属材料,在金属磁性氧化物当中有着较高的居里温度(858K), 因此在自旋电子应用当中有广阔的前景。通过在直径大约200 nm的单分散Fe3O4微球外包裹一层绝缘的SiO2壳层而人工引入晶界,再冷压烧结成块状制成样品。与包膜前相比,样品的磁电阻效应大为增强,而且两者磁电阻的行为明显不同,后者在高场下出现一个线性关系,这是由SiO2 晶界引起的,相关的探索给出了一条新的提高磁电阻效应的途径。
中图分类号:
宋朋云,王峻峰严慧娟. 包裹SiO2薄层的Fe3O4纳米颗粒体系中增强的隧穿磁电阻效应[J]. 北京大学学报(自然科学版).
SONG Pengyun,WANG JunfengYAN Huijuan. Enhanced Tunneling Magnetoresistance in Fe3O4 Nanopowder Compact Coated with SiO2[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis.