摘要: 采用标准0.35μm SiGe HBT工艺设计了工作频段在3.1~10.6GHz的超宽带低噪声放大器。从宽带电路和高频电路设计的器件选择、电路结构选择等方面讨论了超宽带低噪声放大器的设计。结果表明,通过合适的电路结构和器件参数选择,可以采用0.35μm SiGe HBT工艺制备满足超宽带系统要求的低噪声放大器。在整个工作频段内所设计的低噪声放大器输入输出匹配S11和S22均优于-8dB,噪声系数为3.5dB,电路的工作电压为2.5V,电流消耗为4.38mA。
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宋睿丰,廖怀林,黄如,王阳元. 3.1~10.6GHz超宽带低噪声放大器设计[J]. 北京大学学报(自然科学版).
SONG Ruifeng,LIAO Huailin,HUANG Ru,WANG Yangyuan. Design of a 3.1-10.6GHz Ultra Wideband Low Noise Amplifier[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis.