姚丹,庄承钢,张开成,余增强,冯庆荣1,王福仁
YAO Dan, ZHUANG Chenggang, ZHANG Kaicheng, YU Zengqiang, FENG Qingrong, WANG Furen
摘要: 用混合物理化学气相沉积(Hybrid physical-chemical vapor deposition 简称为 HPCVD)法在Mg衬底上原位制备出MgB2超导薄膜样品。超导起始转变温度Tc(onset)=39.5K,SEM(Scanning Electron Microscopy)图显示晶型结构为六方形,晶粒生长较为致密。样品的X射线衍射分析表明,MgB2薄膜是多晶的,没有择优方向。晶粒大小约为400nm~1μm。结果表明HPCVD技术在Mg表面直接沉积MgB2薄膜是可行的,对Mg原料的节约和MgB2线材的制备具有一定优势。
中图分类号: