×
模态框(Modal)标题
在这里添加一些文本
关闭
关闭
提交更改
取消
确定并提交
×
模态框(Modal)标题
×
Toggle navigation
首页
期刊介绍
投稿指南
下载中心
过刊浏览
编委会
联系我们
编辑部公告
English
高k栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究
李哲,吕垠轩,何燕冬,张钢刚
Experimental Study on Positive Bias Temperature Instability of SOI nMOSFETs with High-k Gate Dielectrics
LI Zhe,Lü Yinxuan,HE Yandong,ZHANG Ganggang
北京大学学报(自然科学版) . 2014, (
4
): 637 -641 .