应用Mg离子注入获得高表面空穴载流子浓度P-型GaN

应用Mg离子注入获得高表面空穴载流子浓度P-型GaN

龙涛,杨志坚,张国义

High Surface Hole Concentration P-type GaN Using Mg Implantation

LONG Tao,YANG Zhijian,ZHANG Guoyi

北京大学学报（自然科学版） . 2001, (5): 701 -704 .